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本文標(biāo)題："開發(fā)高量測(cè)精度可運(yùn)用于測(cè)量膜材料儀器"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2013-4-24 1:27:51 本站主頁(yè)地址：http://m.bailemeng6.cn
開發(fā)高量測(cè)精度可運(yùn)用于測(cè)量膜材料儀器
準(zhǔn)分子激光退火技術(shù)已經(jīng)廣泛的被使用來(lái)制作低溫多晶矽膜(low-temperature polycrystalline silicon, LTPS)，
由于所制作出的低溫多晶矽膜之表面粗糙度會(huì)影響低溫多晶矽薄膜電晶體(thin film transistors, TFTs)之電性，
因此運(yùn)用低溫多晶矽膜制作低溫多晶矽薄膜電晶體前，解析低溫多晶矽膜之表面粗糙度值，
傳統(tǒng)解析矽膜之表面粗糙度值方法缺點(diǎn)為設(shè)備昂貴。
制作低溫多晶矽薄膜電晶體所需之矽膜表面粗糙度快速解析系統(tǒng)。
開發(fā)成本低廉，可運(yùn)用于半導(dǎo)體薄膜材料，制程線上即時(shí)解析表面型貌
特色包含前置作業(yè)時(shí)間短、量測(cè)速度快以具備優(yōu)良之量測(cè)精度。
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